Infineon N沟道MOS管, Vds=650 V, 14 A, ThinPAK 8 x 8, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 240-6623
- 制造商零件编号:
- IPL65R200CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB9.98 | RMB29,940.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6623
- 制造商零件编号:
- IPL65R200CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 14 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | ThinPAK 8 x 8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 14 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 ThinPAK 8 x 8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 ThinPAK 8x8 封装，特别适合工业应用中的谐振拓扑，如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，相比竞品效率显著提高。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继承者，它的栅电荷更少、关闭行为得到改善、反向恢复电荷更少以及额外 50 V 击穿电压，可实现最高效率和功率密度。
相比竞品，显著降低切换损耗
额外安全余量，增加母线电压
工业 SMPS 应用中，全负载效率更高
高功率密度
额外安全余量，增加母线电压
工业 SMPS 应用中，全负载效率更高
高功率密度