Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 253 A, PQFN 3 x 3, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-6627P
- 制造商零件编号:
- IQE008N03LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB15.89 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6627P
- 制造商零件编号:
- IQE008N03LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 253 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PQFN 3 x 3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 253 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PQFN 3 x 3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOSTM 5 30 V 源极底置功能具有 30 V 电压和 0.85 m Ω 的低导通电阻。它具有多种优势，如热能力增强、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷却要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。
印刷电路板损耗降低
可实现最高功率密度和性能
可实现最高功率密度和性能