Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE030N06NM5CGATMA1, IQE系列
- RS 库存编号:
- 240-6634
- 制造商零件编号:
- IQE030N06NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.765 | RMB39.53 |
| 10 - 98 | RMB19.295 | RMB38.59 |
| 100 - 248 | RMB18.84 | RMB37.68 |
| 250 - 498 | RMB18.38 | RMB36.76 |
| 500 + | RMB17.94 | RMB35.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6634
- 制造商零件编号:
- IQE030N06NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 253A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | IQE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.85mΩ | |
| 正向电压 Vf | 0.73V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 253A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 IQE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.85mΩ | ||
正向电压 Vf 0.73V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOSTM 5 60 V 源极底置功能具有 60 V 电压和 3.0 m Ω 的低导通电阻。它具有多种优势，如热能力增强、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷却要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。
印刷电路板损耗降低
可实现最高功率密度和性能