Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 101 A, PQFN 3 x 3, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-6637
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥48,200.00
(不含税)
¥54,450.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB9.64 | RMB48,200.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6637
- 制造商零件编号:
- IQE050N08NM5CGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 101 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | PQFN 3 x 3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 101 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 PQFN 3 x 3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOSTM 5 80 V 源极底置功能具有 80 V 电压和 5.0 m Ω 的低导通电阻。它具有多种优势，如热能力增强、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷却要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。
印刷电路板损耗降低
可实现最高功率密度和性能
可实现最高功率密度和性能