Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=700 V, 9.4 A, ThinPAK 5x6, 表面安装, 5引脚, IPLK70R1K4P7ATMA1, IPL系列
- RS Stock No.:
- 240-8538
- Mfr. Part No.:
- IPLK70R1K4P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB9.13 | RMB45.65 |
| 10 - 95 | RMB8.91 | RMB44.55 |
| 100 - 245 | RMB8.698 | RMB43.49 |
| 250 - 495 | RMB8.492 | RMB42.46 |
| 500 + | RMB8.284 | RMB41.42 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 240-8538
- Mfr. Part No.:
- IPLK70R1K4P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | IPL | |
| 包装类型 | ThinPAK 5x6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 3 V | |
| 最大功耗 Pd | 25.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.4A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 IPL | ||
包装类型 ThinPAK 5x6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 3 V | ||
最大功耗 Pd 25.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.35mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS ™ P7 超级接线 (SJ) MOSFET 系列通过提供极佳的性能和易用性，增强外形规格和价格竞争力，设计用于应对低功率 SMPS 市场中的典型挑战。ThinPAK 5x6 封装的特点是尺寸非常小，为 5x6 mm² ，高度为 1 mm 的超薄型。这些功能结合其基准低寄生性能，可显著减小外形尺寸，有助于提高功率密度。此组合使 ThinPAK 中的 CoolMOS ™ P7 特别适合其目标应用。700V CoolMOS ™ P7 系列经优化可用于回扫拓扑。
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