Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=800 V, 4.5 A, ThinPAK 5x6, 表面安装, 5引脚, IPLK80R1K4P7ATMA1, IPL系列
- RS 库存编号:
- 240-8550
- 制造商零件编号:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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| 10 - 95 | RMB4.86 | RMB24.30 |
| 100 - 245 | RMB4.742 | RMB23.71 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-8550
- 制造商零件编号:
- IPLK80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | ThinPAK 5x6 | |
| 系列 | IPL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 43W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 3 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.42mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 ThinPAK 5x6 | ||
系列 IPL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
最大功耗 Pd 43W | ||
最大栅源电压 Vgs 3 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.42mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 800V CoolMOS ™ P7 超级接线 MOSFET 系列完全满足市场在性能，易用性和性价比方面的需求，因此非常适合低功率 SMPS 应用。它主要用于回扫应用，包括适配器和充电器，音频 SMPS ， AUX 和工业电源。与前代产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争对手部件相比，它可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°C 至 8°C 的较低 MOSFET 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 DPAK RDS (接通) 产品实现更高的功率密度设计。总体而言，它有助于客户节省 BOM 成本并减少装配工作量。
同类最佳 FOM RDS (接通) * Eoss; 减少 Qg ， Ciss 和 Coss 同类最佳 DPAK RDS (on) 3V 的最佳 V (GS) TH 和 ±0.5V 的最小 V (GS) TH 变体集成齐纳二极管 ESD 保护完全优化的产品组合低 EMI
ThinPAK 5x6 封装的特点是尺寸非常小，为 5x6 mm² ，高度为 1 mm 的超薄外形以及其基准低寄生能力，这些功能可显著减小外形尺寸，有助于提高功率密度。此组合使 ThinPAK 5x6 中的 CoolMOS ™ P7 特别适合其目标应用。