Infineon N沟道MOS管, Vds=800 V, 3 A, ThinPAK 5 x 6, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 240-8551
- 制造商零件编号:
- IPLK80R2K0P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 240-8551
- 制造商零件编号:
- IPLK80R2K0P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | ThinPAK 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 ThinPAK 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 800V CoolMOS ™ P7 超级接线 MOSFET 系列完全满足市场在性能，易用性和性价比方面的需求，因此非常适合低功率 SMPS 应用。它主要用于回扫应用，包括适配器和充电器，音频 SMPS ， AUX 和工业电源。与前代产品以及在典型回扫应用中经过测试的竞争对手部件相比，它可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°C 至 8°C 的较低 MOSFET 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 DPAK RDS (接通) 产品实现更高的功率密度设计。总体而言，它有助于客户节省 BOM 成本并减少装配工作量。
同类最佳 FOM RDS (接通) * Eoss
减少 Qg ， Ciss 和 Coss 同类最佳 DPAK RDS (on) 3V 的最佳 V (GS) TH 和 ±0.5V 的最小 V (GS) TH 变体集成齐纳二极管 ESD 保护完全优化的产品组合低 EMI
ThinPAK 5x6 封装的特点是尺寸非常小，为 5x6 mm² ，高度为 1 mm 的超薄外形以及其基准低寄生能力，这些功能可显著减小外形尺寸，有助于提高功率密度。此组合使 ThinPAK 5x6 中的 CoolMOS ™ P7 特别适合其目标应用。