ROHM N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 10.3 A, HUML2020L8, 8引脚, RF4G100BG系列

此图片代表整个产品系列,仅供参考。

可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

¥255.80

(不含税)

¥289.05

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 30 个,准备发货
单位
每单位
50 - 90RMB5.116
100 - 240RMB4.993
250 - 990RMB4.873
1000 +RMB4.757

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
241-2263P
制造商零件编号:
RF4G100BGTCR
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10.3A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

RF4G100BG

包装类型

HUML2020L8

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.6nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM RF4G100BG 是具有低接通电阻的功率 MOSFET ,适用于开关应用。

低接通电阻

高功率小型模制封装 HUML2020L8

无铅镀层,符合 RoHS 标准

无卤素