Microchip N沟道MOS管, Vds=1200 V, 46 A, TO-247封装, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 241-9265P
- 制造商零件编号:
- MSC040SMA120B
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 100 + | RMB151.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9265P
- 制造商零件编号:
- MSC040SMA120B
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 46 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 46 A | ||
最大漏源电压 1200 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管材料 SiC | ||
Micro semi 的 Microchip 碳化硅功率场效应管 (MOSFET) 产品系列，在降低高压应用总成本的同时提高了硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案的性能。
低电容和低栅极电荷
由于内部栅极电阻低，可实现快速切换
在 TJ(max) = 175 ° 的高结温下能够稳定工作
快速、可靠的体二极管
卓越的雪崩耐量
符合 RoHS 标准
由于内部栅极电阻低，可实现快速切换
在 TJ(max) = 175 ° 的高结温下能够稳定工作
快速、可靠的体二极管
卓越的雪崩耐量
符合 RoHS 标准