Microchip N型沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 26 A, TO-247, 通孔安装, MSC080SMA120B系列
- RS 库存编号:
- 241-9270
- 制造商零件编号:
- MSC080SMA120B
- 制造商:
- Microchip
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- 制造商零件编号:
- MSC080SMA120B
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MSC080SMA120B | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 2 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 MSC080SMA120B | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最大栅源电压 Vgs 2 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Micro semi 的 Microchip 碳化硅功率场效应管 (MOSFET) 产品系列，在降低高压应用总成本的同时提高了硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案的性能。
低电容和低栅极电荷
由于内部栅极电阻低，可实现快速切换
在 TJ(max) = 175 ° 的高结温下能够稳定工作
快速、可靠的体二极管
卓越的雪崩耐量
符合 RoHS 标准