Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC018NE2LSIATMA1, BSC0系列
- RS 库存编号:
- 241-9668
- 制造商零件编号:
- BSC018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB11.416 | RMB57.08 |
| 10 - 95 | RMB11.142 | RMB55.71 |
| 100 - 245 | RMB10.872 | RMB54.36 |
| 250 - 495 | RMB10.612 | RMB53.06 |
| 500 + | RMB10.356 | RMB51.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9668
- 制造商零件编号:
- BSC018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 381A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSC0 | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 381A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSC0 | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 25 V 漏源电压（VDS）和 153 A 漏电流（ID）。具有超低栅极和输出充电，还包括小尺寸封装中的最低接通电阻，因而时服务器、数据通信和电信应用中的电压调节解决方案的最佳选择。通过减少多相转换器中的相位数量，减少功率损耗并提高所有负载条件的效率，可节省整体系统成本。
经优化，用于高性能降压转换器
单片集成肖特基二极管
低接通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V
100% 雪崩测试
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
符合 IEC61249-2-21 标准无卤素