Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC0系列

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RS 库存编号:
241-9668P
制造商零件编号:
BSC018NE2LSIATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

BSC0

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.9mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 25 V 漏源电压(VDS)和 153 A 漏电流(ID)。具有超低栅极和输出充电,还包括小尺寸封装中的最低接通电阻,因而时服务器、数据通信和电信应用中的电压调节解决方案的最佳选择。通过减少多相转换器中的相位数量,减少功率损耗并提高所有负载条件的效率,可节省整体系统成本。

经优化,用于高性能降压转换器

单片集成肖特基二极管

低接通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V

100% 雪崩测试

N 沟道

针对目标应用,符合 JEDEC1 标准

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

符合 IEC61249-2-21 标准无卤素