Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 5000 件)*

¥15,725.00

(不含税)

¥17,770.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 5,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
5000 - 5000RMB3.145RMB15,725.00
10000 - 10000RMB3.082RMB15,410.00
15000 +RMB3.021RMB15,105.00

* 参考价格

RS 库存编号:
241-9672
制造商零件编号:
BSC0501NSIATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

BSC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET 具有 30 V 漏源电压(VDS)和 130 A 漏电流(ID)。提供基准解决方案,可在待机和全操作下实现最高功率密度和能效。它具有同类最佳的接通电阻,可广泛用于台式机和服务器、高功率密度电压调节器等。

经优化,用于高性能降压转换器

单片集成肖特基二极管

低接通电阻 RDS(on)@VGS = 4.5V

100% 雪崩测试

N 沟道

针对目标应用,符合 JEDEC1 标准

无铅引线镀层

符合 RoHS 标准

符合 IEC61249-2-21 标准无卤素