Infineon N沟道MOSFET管, Vds=60 V, 64 A, SuperSO8 5 x 6, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 241-9675
- 制造商零件编号:
- BSC066N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB7.40 | RMB37.00 |
| 10 - 95 | RMB7.22 | RMB36.10 |
| 100 - 245 | RMB7.05 | RMB35.25 |
| 250 - 495 | RMB6.88 | RMB34.40 |
| 500 + | RMB6.714 | RMB33.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9675
- 制造商零件编号:
- BSC066N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 64 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 64 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道 MOSFET 具有 60 V 漏源电压（VDS）和 64 A 漏电流（ID）。经优化用于开关模式电源（SMPS），如服务器、台式机和平板电脑充电器中的同步整流。此外，这些设备是一系列工业应用的完美选择，包括电机控制、太阳能微变频器和快速切换直流-直流转换器。
经优化，适合高性能 SMPS（例如，同步录音）
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道
针对目标应用，符合 JEDEC1 标准
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素