Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC146N10LS5ATMA1, BSC系列
- RS 库存编号:
- 241-9677
- 制造商零件编号:
- BSC146N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥29.37
(不含税)
¥33.19
(含税)
有库存
- 另外 3,465 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.874 | RMB29.37 |
| 10 - 95 | RMB5.732 | RMB28.66 |
| 100 - 245 | RMB5.596 | RMB27.98 |
| 250 - 495 | RMB5.462 | RMB27.31 |
| 500 + | RMB5.332 | RMB26.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9677
- 制造商零件编号:
- BSC146N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 381A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 381A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS™ 5 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 具有 100 V 漏源电压（VDS）和 44 A 漏电流（ID）。逻辑电平的功率 MOSFET 非常适用于充电、适配器和电信应用。设备的低栅极充电可减少切换损耗，不会影响传导损耗。逻辑电平 MOSFET 允许在高切换频率下操作，由于栅极阈值电压低，可直接从微控制器驱动。
经优化，适合高性能 SMPS（例如，同步录音）
100% 通过雪崩测试
卓越的热阻
N 沟道，逻辑电平
无铅引线镀层
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 无卤素