Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

RS 库存编号:: 241-9682
制造商零件编号:: BSZ075N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

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RS 库存编号:: 241-9682
制造商零件编号:: BSZ075N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	212A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	BSZ
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 212A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 BSZ
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSZ075N08NS5ATMA1

Infineon BSZ系列MOSFET,40V最大漏源电压,212A最大连续漏电流 - BSZ075N08NS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道半导体设备,专为工业和商业电子系统中的开关和功率调节功能而设计。它专为在宽温度范围内运行而设计,并支持采用紧凑封装的表面贴装组装,可为严苛的电源应用提供低传导损耗和高效开关。

特性和优点：

• 超低导通电阻可减少重负载时的传导损耗
• 高连续漏电流支持大量电流流量
• 40V 漏源额定值支持中等电压功率级别
• 81W 耗散,可实现显著的热负载能力
• 80nC 典型栅极电荷支持栅极驱动设计决策
• 20V 栅极容差有助于灵活选择驱动电压

应用

• 适用于高电流直流-直流转换器级
• 适用于电力电子领域的电机驱动半桥支脚
• 用于电源的同步整流
• 可用于电池管理和配电系统
• 适用于服务器电源导轨中的开关元件

它在运行期间能承受怎样的极端温度？

其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于宽温度环境。

封装如何影响PCB布局选择?

表面贴装 SuperSO8 5x6 封装需要热设计和封装以管理板上的热路径和电流路径。

哪些电气特性决定了传导效率?

0.7mΩ 的最大漏源电阻直接影响高电流下的传导损耗。

栅极电荷对开关性能有何影响?

80nC 的典型栅极电荷决定了栅极驱动能量和开关转换速度的考虑因素。

是否需要考虑环境或法规限制?

该组件符合 RoHS 要求,限制组装中的某些危险物质。