Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, IAUC系列

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RS 库存编号:
241-9684
制造商零件编号:
IAUC100N04S6L014ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IAUC

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 OptiMOS™ 6 N 沟道汽车 MOSFET 具有 40 V 漏源电压(VDS)和 100 A 漏电流(ID)。5 x 6 mm² SS08 无引线封装中采用 MOS 技术,具有最高质量水平和坚固性,适用于汽车应用。

OptiMOS™ - 适合汽车应用的功率 MOSFET

N 通道 - 增强模式

AEC Q101 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

工作温度 175°C

绿色产品(符合 RoHS 标准)

100% 雪崩测试