Infineon , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, IPG20N06S4L-14A系列, IPG20N06S4L14AATMA1
- RS 库存编号:
- 241-9688
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB8.51 | RMB42.55 |
| 10 - 95 | RMB8.308 | RMB41.54 |
| 100 - 245 | RMB8.106 | RMB40.53 |
| 250 - 495 | RMB7.912 | RMB39.56 |
| 500 + | RMB7.722 | RMB38.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9688
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPG20N06S4L-14A | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPG20N06S4L-14A | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 OptiMOS™ T2 N 沟道汽车 MOSFET 具有 60 V 漏源电压（VDS）和 20 A 漏电流（ID）。采用双 SS08（PG-TDSON-8）封装。可用于自动光学检验（AOI）。
双 N 通道逻辑电平 - 增强模式
AEC Q101 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
工作温度 175°C
绿色产品（符合 RoHS 标准）
100% 雪崩测试
可用于自动光学检验（AOI）