Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC022N04LSATMA1, BSC0系列

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包装方式:
RS 库存编号:
241-9693
制造商零件编号:
BSC022N04LSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

BSC0

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

英飞凌 OptiMOS 功率晶体管是 N 沟道 MOSFET,符合 JEDEC 标准,用于目标应用。它具有非常低的接通电阻。

经优化,适合高性能 SMPS

符合 IEC61249-2-21 无卤素标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。