Infineon N沟道MOS管, Vds=25 V, 153 A, PQFN 3 x 3, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 241-9698
- 制造商零件编号:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9698
- 制造商零件编号:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 153 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 封装类型 | PQFN 3 x 3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 153 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
封装类型 PQFN 3 x 3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，经优化用于高性能降压转换器。经过 100% 雪崩测试。
单片集成类肖特基二极管
符合 IEC61249-2-21 无卤素标准
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