Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, PQFN, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 241-9698
- 制造商零件编号:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 241-9698
- 制造商零件编号:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 212A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSZ | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 212A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSZ | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，经优化用于高性能降压转换器。经过 100% 雪崩测试。
单片集成类肖特基二极管
符合 IEC61249-2-21 无卤素标准
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