Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 212 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 241-9700
- 制造商零件编号:
- BSZ021N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥26,950.00
(不含税)
¥30,450.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB5.39 | RMB26,950.00 |
| 10000 - 10000 | RMB5.282 | RMB26,410.00 |
| 15000 + | RMB5.123 | RMB25,615.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9700
- 制造商零件编号:
- BSZ021N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 212A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 212A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 6 功率晶体管是一款具有非常低接通电阻的 N 沟道 MOSFET。针对目标应用，符合 JEDEC 标准。
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
100% 通过雪崩测试