Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 212 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, BSZ024N04LS6ATMA1, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 241-9703
- 制造商零件编号:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥15.13
(不含税)
¥17.096
(含税)
有库存
- 另外 4,782 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB7.565 | RMB15.13 |
| 10 - 98 | RMB7.38 | RMB14.76 |
| 100 - 248 | RMB7.205 | RMB14.41 |
| 250 - 498 | RMB7.035 | RMB14.07 |
| 500 + | RMB6.865 | RMB13.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9703
- 制造商零件编号:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 212A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSZ | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 212A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSZ | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS 6 功率晶体管是 N 沟道 MOSFET，经优化用于同步应用。它具有卓越的热阻。
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
100% 通过雪崩测试
针对目标应用，符合 JEDEC 标准