Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 212 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, BSZ024N04LS6ATMA1, BSZ系列

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包装方式:
RS 库存编号:
241-9703P
制造商零件编号:
BSZ024N04LS6ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

212A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BSZ

包装类型

PQFN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

英飞凌 OptiMOS 6 功率晶体管是 N 沟道 MOSFET,经优化用于同步应用。它具有卓越的热阻。

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准

100% 通过雪崩测试

针对目标应用,符合 JEDEC 标准