Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, IPC100N04S5L1R5ATMA1, IPC系列

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RS 库存编号:
241-9707
制造商零件编号:
IPC100N04S5L1R5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

IPC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 OptiMOS 功率晶体管是用于汽车应用的 N 沟道功率 MOSFET。经过 100% 雪崩测试。

N 沟道 - 增强模式 - 逻辑电平

AEC Q101 认证