Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC0系列

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包装方式：
RS 库存编号:
241-9875P
制造商零件编号:
BSC027N06LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

BSC0

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon BSC0 系列 MOSFET,60V 最大漏源电压,381A 最大连续漏电流 - BSC027N06LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道功率晶体管,专为在严苛温度范围内需要高效切换和耐热性的表面贴装应用而设计。它可作为功率级的逻辑兼容开关运行,提供强大的连续电流能力,同时仍适用于需要低导通电阻和受控栅极驱动特性的紧凑型板布局和组件。

特性和优点：


• 60V 漏电压限制可实现稳健的中等电压开关
• 381A 连续电流提供高持久负载能力
• 0.7mΩ Rds(on)可减少重负载下的传导损耗
• 81W 功耗,可实现显著的散热空间
• 80nC 典型栅极电荷支持在适度驱动下实现更快的切换速度
• 1.2V 正向二极管电压可最大限度减少换向过程中的恢复应力

应用


• 适用于紧凑型板上的高电流电机驱动器级
• 适用于电源转换器中的同步整流
• 与需要低传导损耗的电池管理系统配合使用
• 可用于直流-直流电源模块中的开关级
• 适用于在宽温度范围内运行的工业驱动器

为实现可靠开关,建议使用哪种栅极驱动边缘?


允许最大 20V Vgs 的栅极驱动,但典型的逻辑电平驱动应在调整驱动器以实现所需的转换速度时考虑 80nC 栅极电荷。

热性能对布局和冷却有何影响?


凭借 81W 的最大耗散额定值,该板设计应提供足够的铜面积和热通道,以从 TDSON 封装中导散热量,以实现持久的高电流运行。

它在运行过程中可承受的环境范围是多少?


它可在 -55°C 至 +150°C 的宽环境范围内工作,支持暴露于极端温度的设计。

本质二极管行为如何影响开关事件?


1.2V 正向二极管特性可在模式转换过程中降低峰值反向恢复应力,从而影响缓冲器和夹具要求。

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