Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC系列

RS 库存编号:: 241-9879P
制造商零件编号:: BSC070N10LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC系列

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RS 库存编号:: 241-9879P
制造商零件编号:: BSC070N10LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	381A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TDSON
	系列	BSC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 381A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TDSON
	系列 BSC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSC070N10LS5ATMA1

Infineon BSC系列MOSFET,40V最大漏源电压,381A最大连续漏电流 - BSC070N10LS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道晶体管,专为要求严苛的热环境中的表面贴装功率转换和开关任务而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要低传导损耗、快速开关控制和大量连续电流处理的应用。

特性和优点：

• 最大连续漏电流 381A,可实现重负载切换
• 极低的 Rds(on) 0.7mΩ 可降低导通损耗
• 最大耗散功率为 81W,支持持久功率处理
• 正向电压 Vf 1.1V 可最大限度减少传导过程中的电压下降
• 典型栅极电荷 Qg 80nC 平衡驱动能量和开关速度
• 最大栅源电压 20V,可实现稳固的栅极驱动空间

应用

• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于电源同步整流
• 用于高放电系统中的电池管理
• 可用于服务器电源导轨中的直流-直流转换
• 适用于高功率 D 类音频输出级

它采用哪种封装和安装方式？

它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面安装。

该设备在漏极和源极之间可承受的电压是多少?

该设备的额定最大漏源电压为 40V。

预期环境温度能力是多少?

其工作温度范围为-55°C至+150°C。