制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, tsdson -8 fl, BSZ系列

RS 库存编号:: 241-9887
制造商零件编号:: BSZ0500NSIATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, tsdson -8 fl, BSZ系列

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2 - 8	RMB17.28	RMB34.56
10 - 98	RMB16.86	RMB33.72
100 - 248	RMB16.425	RMB32.85
250 - 498	RMB15.995	RMB31.99
500 +	RMB15.555	RMB31.11

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RS 库存编号:: 241-9887
制造商零件编号:: BSZ0500NSIATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	212A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	tsdson -8 fl
	系列	BSZ
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 212A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 tsdson -8 fl
	系列 BSZ
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSZ0500NSIATMA1

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