Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 8针, TDSON, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 241-9892P
- 制造商零件编号:
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 500 + | RMB14.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-9892P
- 制造商零件编号:
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IAUC | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IAUC | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC 系列 MOSFET,最大功耗 81W,最大连续漏电流 120A - IAUC90N10S5N062ATMA1
这款 MOSFET 是一款专为高电流、高温环境设计的功率开关晶体管,可在增强模式 N 通道配置中提供受控传导。它专为需要稳健热性能和电气性能的表面贴装应用而设计,符合环境限制标准。
特性和优点：
• 40V 漏电额定值,支持中压电源开关
• 120A 连续漏电流,适用于高电流负载
• 0.7mΩ 低导通电阻,可降低传导损耗
• 81W 功耗,支持高功率处理
• 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 20V 栅极容差提供宽栅极驱动灵活性
• 120A 连续漏电流,适用于高电流负载
• 0.7mΩ 低导通电阻,可降低传导损耗
• 81W 功耗,支持高功率处理
• 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 20V 栅极容差提供宽栅极驱动灵活性
应用
• 适用于汽车电源管理模块
• 适用于高电流电机驱动级
• 用于工业系统中的直流-直流转换
• 可用于电池保护和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
• 适用于高电流电机驱动级
• 用于工业系统中的直流-直流转换
• 可用于电池保护和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
它的工作温度范围是多少?
其工作温度范围为-55°C至175°C,可适应宽泛的热封装。
它采用哪种封装和安装方式？
它采用 TDSON 封装,设计用于表面安装以控制板体和热路径。
它是否适合汽车设计要求?
它符合AEC‐Q101认证,并符合RoHS标准,适用于汽车级应用。
它采用哪种通道和传导模式?
它是一款在增强模式下运行的 N 通道设备,可实现受控的开关操作。