Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC0系列

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包装方式：
RS 库存编号:
241-9968P
制造商零件编号:
BSC025N08LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

BSC0

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon BSC0 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,381A 最大连续漏电流 - BSC025N08LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道晶体管,专为要求严苛的热环境中的表面安装式功率开关而设计。它支持低电压、高电流应用,适用于需要紧凑型 TDSON 封装和宽泛工作温度的应用。

特性和优点：


• 超低导通电阻可降低传导损耗
• 381A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 40V 漏源额定值支持低电压功率级
• 81W功耗可实现更高的功率处理能力
• 80nC 典型栅极电荷,可实现更快的开关转换
• -55°C 至 +150°C 范围可在极端温度条件下保持运行

应用


• 适用于高电流直流-直流转换器设计
• 适用于电源的同步整流
• 用于需要 1.2V 正向压降的电机控制级别
• 可用于服务器配电模块
• 适用于紧凑型板上的表面贴装式电源组件

PCB 组装需要哪种安装方式?


它采用 TDSON 封装,用于表面贴装焊接到 PCB 垫上。

运行期间应遵守哪些栅极电压限制?


栅极与源端的电压不得超过 20V,以防止栅极过度压力。

其正向电压对高电流导电有何影响?


典型正向电压为 1.2V,有助于在重负载下加热接点,应在热设计中考虑这一点。

适用的认证和环保因素有哪些?


它符合 RoHS 要求,限制组件中的有害物质。

哪些通道特性定义了开关极性?


它采用 N 型传导通道,适用于低侧开关和常见的高电流拓扑结构。

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