Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB162.90

(不含税)

RMB184.10

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 3,522 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 99RMB16.29
100 - 249RMB15.89
250 - 499RMB15.50
500 +RMB15.14

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
241-9970P
制造商零件编号:
BSC034N10LS5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

BSC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon BSC系列MOSFET,40V最大漏源电压,381A最大连续漏电流 - BSC034N10LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道设备,专为表面贴装应用中的功率开关和转换而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要强大的耐热性和低传导损耗的环境。该组件采用 TDSON 封装,适用于板载功率级,符合 RoHS 标准。

特性和优点：


• 40V 额定值,适用于中等电压功率级
• 381A 连续漏电流,用于高电流输送
• 0.7mΩ Rds(on),可减少传导损耗
• 81W 功耗，确保持久的热性能
• 典型栅极电荷为80nC，可实现可预测的开关控制
• 栅极源可承受高达20V的电压,实现灵活的驱动空间

应用


• 适用于电源的大电流DC-DC转换器
• 适用于开关稳压器中的同步整流
• 与需要低传导损耗的电机驱动器配合使用
• 可用于服务器配电模块
• 适用于工业电源管理组件

它在运行期间能够承受的环境温度是多少？


它的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,可在宽温度环境中使用。

该设备如何帮助降低密集电力系统中的热量?


低漏源电阻可最大限度减少 I2R 损耗,从而降低在导电过程中产生的热量。

电路板组装需要哪种安装方式？


它设计用于表面安装,采用 TDSON 封装,便于紧凑型电源布局。

在传导过程中,典型的正向压降是多少?


对于 Vgs 和 Id 产生正向传导的条件,正向电压指定为 1.1V。

相关链接