Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC系列

RS 库存编号:: 241-9972P
制造商零件编号:: BSC110N15NS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, TDSON, BSC系列

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单位	每单位
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* 参考价格

RS 库存编号:: 241-9972P
制造商零件编号:: BSC110N15NS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	381A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TDSON
	系列	BSC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 381A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TDSON
	系列 BSC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSC110N15NS5ATMA1

Infineon BSC系列MOSFET,40V最大漏源电压,381A最大连续漏电流 - BSC110N15NS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道设备,专为要求严苛的热环境中的表面安装式功率开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要低传导损耗和强大的连续排放能力的应用,同时符合 RoHS 限制要求。

特性和优点：

• 0.7mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,实现高效切换
• 381A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 40V 漏源额定值可处理中等电压电源导轨
• 81W 功耗，支持持续的热负载
• 80nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动设计
• 20V 最大栅源容差支持强大的驱动空间

应用

• 适用于高电流直流电机控制器
• 特别适用于同步降压功率级
• 用于服务器配电模块
• 可用于电池管理和电源转换
• 适用于在宽温度范围内运行的工业驱动电子设备

它采用什么封装和安装方式？

它采用 8 针 TDSON 封装,用于表面贴装组装。

它在运行过程中可承受的热量范围是多少?

它的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于长期工业温度应用。

它是否适合汽车认证?

它未指定符合汽车标准认证。

快速切换需要考虑哪些栅极驱动因素?

在调整驱动器电流和调压率控制以管理切换损耗和 EMI 时,计算典型 80nC 栅极电荷。

声明对环境的合规性是什么?

它符合 RoHS 标准,表明对某些危险物质的限制。