Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC0系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB257.30

(不含税)

RMB290.70

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 14,308 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 98RMB25.73
100 - 248RMB25.29
250 - 498RMB24.825
500 +RMB24.37

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
242-0294P
制造商零件编号:
BSC026N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BSC0

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon BSC0 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,381A 最大连续漏电流 - BSC026N08NS5ATMA1


这款 MOSFET 电源开关设备专为表面贴装组件中的高电流、低损耗应用而设计。它可在宽环境范围内运行,适用于需要快速开关和强大的连续排放能力的电路,同时符合环境限制指令。

特性和优点:


• 40V 漏电能力可实现低电压功率级运行
• 381A 连续漏电流支持大电流流量
• 0.7mΩ的导通电阻(Rds(on))可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 81W 功耗,支持持续的热负载
• 80nC 典型栅极电荷支持高效开关控制
• 20V 最大栅极电压支持标准驱动级兼容性

应用


• 适用于电源机架中的高电流直流-直流转换器
• 适用于服务器和电信配电模块
• 适用于需要快速开关和高电流的电机驱动器
• 可用于高功率电池组中的电池管理系统
• 适用于高效电源中的同步整流

它能在什么温度范围内稳定运行?


其工作温度范围为-55°C至+150°C。

它采用哪种封装和安装方式?


它采用 SuperSO8 5x6mm 封装,适用于表面安装。

其栅极电荷对开关损耗有何影响?


80nC 栅极电荷代表每个开关事件所需的输入能量,并影响栅极驱动能量和转换速度。

它是否适用于汽车认证项目?


它不属于汽车标准设备。

它符合哪些环保要求?


它按照RoHS环境限制标准制造。

相关链接