Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=160 A, 3针, TO-263, AUIRFS系列

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RS 库存编号:
242-0966
制造商零件编号:
AUIRFS3306TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

160A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

AUIRFS

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 D2-Pak 封装。连续漏电流 (Id) 为 160 A。功率 MOSFET 的工作温度范围为从 -55 °C 至 175 °C。

表面贴装技术

功耗 230 W

典型应用:刷式电机驱动装置、无刷电机驱动装置

先进的工艺技术

超低导通电阻

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