Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 192 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPA系列

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RS 库存编号:
242-0990
制造商零件编号:
IRF100S201
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

192A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

IPA

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.9mΩ

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 单 N 通道功率 MOSFET 具有 192 A 的最大漏电流。功率 MOSFET 的工作温度从 -55 °C 至 175 °C。它是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。

为分配合作伙伴提供了最广泛可用性优化

产品经认证符合 JEDEC 标准

工业标准表面贴装

额定电流高

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