Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 242-0991
- 制造商零件编号:
- IRF100S201
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB20.445 | RMB40.89 |
| 10 - 98 | RMB19.955 | RMB39.91 |
| 100 - 248 | RMB19.47 | RMB38.94 |
| 250 - 498 | RMB19.01 | RMB38.02 |
| 500 + | RMB18.555 | RMB37.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-0991
- 制造商零件编号:
- IRF100S201
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 192 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 192 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 单 N 通道功率 MOSFET 具有 192 A 的最大漏电流。功率 MOSFET 的工作温度从 -55 °C 至 175 °C。它是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。
为分配合作伙伴提供了最广泛可用性优化
产品经认证符合 JEDEC 标准
工业标准表面贴装
额定电流高
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