Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 7针, TO-263, iPB系列
- RS 库存编号:
- 242-5817P
- 制造商零件编号:
- IPB017N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB41.50 |
| 100 - 249 | RMB40.50 |
| 250 - 499 | RMB39.52 |
| 500 + | RMB38.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-5817P
- 制造商零件编号:
- IPB017N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | iPB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 iPB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon iPB系列MOSFET,100V最大漏源电压,273A最大连续漏电流 - IPB017N10N5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道开关设备,专为表面贴装式电源应用而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要稳健电流处理和耐热性的严苛工业环境和电力转换环境。
特性和优点：
• 低导通电阻可最大限度降低传导损耗并提升效率
• 高连续漏电流可实现持久的重载运行
• 100V 漏电额定值支持常见中间电压拓扑结构
• 81W 功耗,可在紧凑封装中实现更高的功率吞吐量
• 80nC 典型栅极电荷支持转换器中的响应式切换
• 20V 栅极额定值可实现宽栅极驱动电压灵活性
• 高连续漏电流可实现持久的重载运行
• 100V 漏电额定值支持常见中间电压拓扑结构
• 81W 功耗,可在紧凑封装中实现更高的功率吞吐量
• 80nC 典型栅极电荷支持转换器中的响应式切换
• 20V 栅极额定值可实现宽栅极驱动电压灵活性
应用
• 适用于高电流直流-直流电源转换器
• 适用于电源的同步整流
• 与电机驱动半桥级配套使用
• 可用于服务器和电信电源导轨
• 适用于电池管理和逆变器系统
• 适用于电源的同步整流
• 与电机驱动半桥级配套使用
• 可用于服务器和电信电源导轨
• 适用于电池管理和逆变器系统
这款设备能承受哪些极端温度?
其工作温度范围为-55°C至175°C,支持广泛的工业温度要求。
封装类型对安装和热管理有何影响?
TO-263表面贴装形式支持直接PCB安装,具有低热阻路径,适用于散热片配置。
在开关性能方面，应注意哪些栅极驱动因素？
具有 80nC 典型栅极电荷和 20V 最大栅极额定值,栅极驱动器必须在保持 Vgs 限制的同时提供足够的电流以实现快速转换。
哪些通道特性会影响传导和开关损耗?
该设备采用 N 通道架构,漏源电阻极低,可在保持高电流能力的同时降低传导损耗。
此设备是否适用于汽车认证?
该部件不符合汽车标准,但符合 RoHS 环保要求。