Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB048N15N5ATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 242-5819
- 制造商零件编号:
- IPB048N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥36.87
(不含税)
¥41.66
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB36.87 |
| 10 - 99 | RMB35.99 |
| 100 - 249 | RMB35.12 |
| 250 - 499 | RMB34.27 |
| 500 + | RMB33.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-5819
- 制造商零件编号:
- IPB048N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 特别适用于低电压驱动器，如叉车和电瓶车，以及电信和太阳能应用。该产品可减少 R DS（接通） （与 SuperSO8 的下一个最佳替代品相比，高达 25%）和 Q rr，而不会影响 FOM gd 和 FOM OSS，有效地减少了设计工作，同时优化了系统效率。
更低的 R DS（接通）， 不会影响 FOMgd 和 FOMoss
更低的输出充电
超低反向恢复充电（SuperSO8 中 Q rr = 26 nC）
工作温度 175°C
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
排放源击穿电压 150V
最大漏极电流 120A