Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

RS 库存编号:: 242-5819P
制造商零件编号:: IPB048N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB359.80

(不含税)

RMB406.60

1,477 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
10 - 99	RMB35.98
100 - 249	RMB35.11
250 - 499	RMB34.26
500 +	RMB33.44

* 参考价格

RS 库存编号:: 242-5819P
制造商零件编号:: IPB048N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	273A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	iPB
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 273A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 iPB
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPB048N15N5ATMA1

Infineon iPB系列MOSFET,100V漏源电压,273A连续漏电流 - IPB048N15N5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道开关设备,专为需要高效传导和耐热性的表面贴装电源应用而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于严苛的功率转换和电机驱动环境,在 TO-263 封装中为板载组件提供紧凑型解决方案。

特性和优点：

• 低 Rds(on) 1.7mΩ 可减少传导损耗并提高效率
• 273 A 高连续漏电流支持大电流负载
• 最大 Vds 100 V 可在开关级别实现强大的电压空间
• 功耗 81 W,可在狭窄布局中实现持久热负载
• 典型栅极电荷为 80 nC,平衡开关速度和驱动要求
• 栅极源额定值为 20 V,可实现大量驱动空间以实现控制

应用

• 适用于工业逆变器的功率转换阶段
• 特别适用于PCB上的高电流电机驱动电路
• 用于电源中的同步整流拓扑结构
• 可用于需要高电流的电池管理系统
• 建议用于需要表面贴装组件的紧凑型板载开关模块

它能在什么温度范围内稳定运行？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于高温环境。

封装对热性能有何影响?

TO-263 表面贴装封装为电路板提供低热阻路径,可在高功率操作过程中有效散热。

应遵守哪些栅极驱动因素?

该设备可接受与源相比的高达 20 V 的栅极电压,典型的栅极总电荷为 80 nC,因此驱动器功能必须与开关频率和所需的转换时间相匹配。