Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB483.00

(不含税)

RMB545.80

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 567 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 99RMB48.30
100 - 249RMB47.14
250 - 499RMB46.01
500 +RMB44.92

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
242-5821P
制造商零件编号:
IPB048N15N5LFATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

273A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon iPB系列MOSFET,100V最大漏源电压,273A最大连续漏电流 - IPB048N15N5LFATMA1


这款 n 通道 MOSFET 是一款功率开关设备,专为需要强大的热性能和电气性能的高电流高压应用而设计。它可在宽环境范围内运行,并采用表面贴装 TO-263 封装,适用于热管理 PCB。该设备符合 RoHS 标准,适用于需要大量连续排放能力和受控栅极驱动的系统。

特性和优点：


• 100V 漏源耐受性,可实现高压切换
• 273A 连续漏电流,适用于重负载处理
• 1.7mΩ 低 Rds(on)，可降低传导损耗
• 81W 功耗,支持高功率运行
• 80nC 总栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 1.2V 正向电压可最大限度减少二极管导电压降

应用


• 适用于高电流电源和转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级
• 用于服务器配电和总线切换
• 可用于电信整流器和逆变器
• 适用于恶劣温度下的工业开关

为确保安全运行,必须遵守哪些栅极电压限制?


门不应超过 20V Vgs 限值,以防止门损坏。

它如何承受极端热环境?


其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于宽温度范围。

组装需要采用哪种安装方式？


该设备专为 TO-263 封装的表面安装而设计。

设计人员对本质二极管有何导电性能?


对于二极管相关电流,正向传导特性为 1.2V Vf。

该设备在电路集成时具有哪些通道极性?


它采用N通道配置,用于传统高侧或低侧开关。

相关链接