Infineon N沟道MOS管, Vds=150 V, 120 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 242-5821P
- 制造商零件编号:
- IPB048N15N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB42.54 |
| 100 - 249 | RMB41.52 |
| 250 - 499 | RMB40.52 |
| 500 + | RMB39.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-5821P
- 制造商零件编号:
- IPB048N15N5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon MOSFET 特别适用于低电压驱动器，如叉车和电瓶车，以及电信和太阳能应用。该产品可减少 R DS（接通） （与 SuperSO8 的下一个最佳替代品相比，高达 25%）和 Q rr，而不会影响 FOM gd 和 FOM OSS，有效地减少了设计工作，同时优化了系统效率。
更低的 R DS（接通）， 不会影响 FOMgd 和 FOMoss
更低的输出充电
超低反向恢复充电（SuperSO8 中 Q rr = 26 nC）
工作温度 175°C
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
排放源击穿电压 150V
最大漏极电流 120A
更低的输出充电
超低反向恢复充电（SuperSO8 中 Q rr = 26 nC）
工作温度 175°C
无铅引线镀层
符合 RoHS 标准
排放源击穿电压 150V
最大漏极电流 120A