Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- RS 库存编号:
- 242-5823P
- 制造商零件编号:
- IPB110N20N3LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 242-5823P
- 制造商零件编号:
- IPB110N20N3LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 273A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 273A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 线性 FET MOSFET 是一种革命性方法，无需在接通状态电阻（R DS（on）） 和线性模式功能之间权衡 - 在增强模式 MOSFET 的饱和区域工作。它提供 Trench MOSFET 的最先进的 R DS（on） ，以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区域。
低 R DS（接通） 和宽广的安全工作区域（SOA）的组合
最大脉冲电流值高
高连续脉冲电流
最大漏极电流为 88A
工作温度范围为 -55 °C 至 150 °C