Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列

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RS 库存编号:
242-5826
制造商零件编号:
IPB60R045P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

273A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 超级接点 MOSFET 是 600V CoolMOS P6 系列的继电器。它继续在设计过程中平衡对高效率的需求和对易用性的需求。CoolMOS™ 第 7 代平台的一流 RonxA 和固有的低栅极电荷(QG)确保了其高效率。

集成栅极电阻器 RG

由于出色的切换坚固性,适用于硬和软切换(PFC 和 LLC)

显著减少切换和传导损耗

极佳的 ESD 坚固性 > 2kV(HBM),用于所有产品