Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 31 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 242-5829
- 制造商零件编号:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-5829
- 制造商零件编号:
- IPB60R070CFD7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon D2PAK 封装的超级结 MOSFET 非常适用于大功率的 谐振拓扑结构，如 服务器、 电信 和 充电站，它能显著提高效率。 作为 CFD2 SJ MOSFET 系列 的继电器，与竞争对手相比，它具有降低栅极电荷、改进的关闭行为和降低高达 69% 的反向恢复电荷。
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