Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 273 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列

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包装方式:
RS 库存编号:
242-5830P
制造商零件编号:
IPB60R070CFD7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

273A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
Infineon D2PAK 封装的超级结 MOSFET 非常适用于大功率的 谐振拓扑结构,如 服务器、 电信 和 充电站,它能显著提高效率。 作为 CFD2 SJ MOSFET 系列 的继电器,与竞争对手相比,它具有降低栅极电荷、改进的关闭行为和降低高达 69% 的反向恢复电荷。

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