Nexperia N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=10.3 A, 4针, LFPAK88

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包装方式:
RS 库存编号:
243-4439P
制造商零件编号:
BUK7S2R0-40HJ
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.3A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

LFPAK88

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

13.6mΩ

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Nexperia 汽车级 N 通道 MOSFET 运用最新的 Trench 9 低电阻超结技术,置于一个铜夹 LFPAK88 封装内。此产品通过全面的设计和认证,超出 AEC-Q101 标准中的要求,具有高性能和可靠性。

工作温度 -55°C 至 +175°C,适合于对温度要求严苛的环境

薄型封装和铜夹让 LFPAK88 具有热高效性能

提高了最大电流容量且具有出色的电流扩散性能

低电源电感

低热电阻 Rth

光学 (AOI) 焊接检测,无需使用昂贵的 x 射线设备

易于焊料浸润,焊点具有良好的机械性能

减小的单元栅距和超结工艺平台可在同一尺寸上获得更低的 RDSon

12 V 汽车系统

48 V DC/DC 系统(在 12 V 次级侧面)

更高功率的电机、灯和电磁阀控制

反极性保护

超高性能功率切换

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