Nexperia MOSFET, Vds=30 V, 10.3 A, TO-247, 通孔安装, GAN041-650WSBQ
- RS 库存编号:
- 243-4620
- 制造商零件编号:
- GAN041-650WSBQ
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥118.02
(不含税)
¥133.36
(含税)
暂时缺货
- 30 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB118.02 |
| 5 - 9 | RMB115.63 |
| 10 - 299 | RMB108.51 |
| 300 + | RMB106.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-4620
- 制造商零件编号:
- GAN041-650WSBQ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia 氮化镓 (GaN) FET 采用 TO-247 封装，是一款常闭器件，将 Nexperia 最先进的高压 GaN HEMT H2 技术与低压硅 MOSFET 技术两者融为一体，可靠性和性能出众。
超低反向恢复电荷
简单的栅极驱动（0 V 至 +10 V 或 12 V）
坚固的氧化栅极（±20 V 容量）
高栅极阈值电压 (+4 V)，具有极佳的栅极抗反弹性
在反向导电模式下，具有超低的源漏电压
瞬态过压能力
适用于工业和数据通信电源的硬、软开关变流器
无桥式推拉输出电路 PFC
PV 和 UPS 换流器
伺服电机驱动