Nexperia , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 42 A, LFPAK56D, 8引脚, PSMN4R2系列, PSMN4R2-40VSHX
- RS 库存编号:
- 243-4875
- 制造商零件编号:
- PSMN4R2-40VSHX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.308 | RMB86.54 |
| 50 - 95 | RMB16.894 | RMB84.47 |
| 100 - 245 | RMB16.488 | RMB82.44 |
| 250 - 495 | RMB16.092 | RMB80.46 |
| 500 + | RMB15.704 | RMB78.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-4875
- 制造商零件编号:
- PSMN4R2-40VSHX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | PSMN4R2 | |
| 包装类型 | LFPAK56D | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 46W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 PSMN4R2 | ||
包装类型 LFPAK56D | ||
引脚数目 8 | ||
最大栅源电压 Vgs -20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 46W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia 双路、标准电平 N 通道 MOSFET，采用 LFPAK56D 封装（半桥配置），运用 Next power S3 技术。高压侧 FET 的源极 (S1) 到低压侧 FET 的漏极 (D2) 之间建立内部连接，使此器件特别适合于在高性能 PWM 和空间受限的电动机驱动应用中作为半桥开关。
减少 PCB 布局复杂性
通过减少元件数量来收缩模块
低寄生电感以实现更高效率
低功耗、高功率密度
卓越的雪崩性能
额定重复性雪崩击穿
LFPAK 铜夹封装提供高坚固性和可靠性
手持式电动工具、便携式电器和空间受限的应用
无刷或有刷直流电动机驱动
直流到直流系统
LED 照明