Nexperia N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 10.3 A, LFPAK88, 表面安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 243-4876
- 制造商零件编号:
- PSMNR55-40SSHJ
- 制造商:
- Nexperia
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- RS 库存编号:
- 243-4876
- 制造商零件编号:
- PSMNR55-40SSHJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | LFPAK88 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 LFPAK88 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia N 通道增强型 MOSFET 采用 LFPAK88 封装，具有 500 A 连续电流，标准电平栅级驱动。Next Power S3 系列运用 Nexperia 独特的“Schottky Plus”技术，提供高效率和低尖峰性能，通常与集成有肖特基或类肖特基二极管但无高漏电流问题的 MOSFET 组合应用。Next Power S3 特别适合于开关频率高的高效应用，也可在高负载电流下实现安全可靠的切换。
铜夹和焊接芯片粘贴，适用于低封装电感和电阻以及高 ID（最大）额定值
D2PAK 和 10 x 12 mm 无引线封装类型的理想替代品
温度可达 175 °C
符合 UL2595 标准的爬电距离和电气间隙要求
额定雪崩击穿通过 100% 测试
低 QG、QGD 和 QOSS 可获得高效率，尤其是在较高的开关频率下
通过软体二极管恢复实现超快切换，可获得低尖峰和瞬时扰动，推荐用于低 EMI 设计
无刷直流电机控制
在大功率交流到直流应用中作为同步整流器，如服务器电源
电池保护和电池管理系统 (BMS)
eFuse 和负载开关
热交换 / 浪涌电流管理