Nexperia P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 20.2 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXP8R3-20QXJ
- RS 库存编号:
- 243-4895P
- 制造商零件编号:
- PXP8R3-20QXJ
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB4.377 |
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| 250 - 990 | RMB4.172 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 243-4895P
- 制造商零件编号:
- PXP8R3-20QXJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | MLPAK33. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20.2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 MLPAK33. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia P 通道增强型场效应晶体管 (FET) 置于采用塑料封装的 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 内，运用沟槽 MOSFET 技术。
Nexperia P 通道增强型场效应晶体管 (FET) 置于采用塑料封装的 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 内，运用沟槽 MOSFET 技术。
低阈值电压
沟槽 MOSFET 技术
低阈值电压
沟槽 MOSFET 技术
高压侧负载开关
电池管理
直流到直流转换
开关电路
高压侧负载开关
电池管理
直流到直流转换
开关电路