制造商编号

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

RS 库存编号:: 243-9268
制造商零件编号:: IPB110P06LMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB33.88

(不含税)

RMB38.28

(含税)

有库存

另外 341 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB33.88
10 - 99	RMB33.07
100 - 249	RMB32.27
250 - 499	RMB31.51
500 +	RMB30.74

* 参考价格

RS 库存编号:: 243-9268
制造商零件编号:: IPB110P06LMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	273A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-263
	系列	iPB
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 273A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-263
	系列 iPB
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPB110P06LMATMA1

Infineon P 通道小信号晶体管采用无铅引线电镀。MOSFET 的漏电流和漏-源电压分别为 100 A 和 -60V。超低电阻值。工作温度 -55 °C 至 150 °C。

表面贴装技术

逻辑电平可用性

易于连接到微控制器装置 (MCU)

快速切换

雪崩耐量高

相关链接