Infineon P型沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=273 A, 3针, TO-263, iPB系列

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包装方式：
RS 库存编号:
243-9268P
制造商零件编号:
IPB110P06LMATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

273A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

iPB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon iPB系列MOSFET,100V最大漏源电压,273A最大连续漏电流 - IPB110P06LMATMA1


这款 MOSFET 是一款 P 通道半导体开关,专为高电流和高电压应用而设计,采用表面贴装 TO-263 封装。它可在宽温度范围内运行,适用于需要耐热性和紧凑安装的电源转换和开关任务。

特性和优点：


• 超低导通电阻可降低传导损耗
• 高连续排放电流支持重负载处理
• 100V 漏源额定值支持更高的电压部署
• 81W 耗散功率提供强大的热容量
• 80nC 典型栅极电荷允许响应性开关
• 符合 RoHS 标准,可将危险物质含量降至最低

应用


• 适用于电源同步整流
• 适用于需要高电流的电机驱动下游阶段
• 可用于高压直流-直流转换器开关
• 适用于紧凑型表面贴装电源模块
• 用于瞬态负载环境中的快速切换

使用时必须遵守哪些栅极电压限制？


栅极源电压不得超过 ±20V,以避免损坏栅极结构。

温度范围对部署选择有何影响?


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在冷启动和高温条件下使用。

热性能适用的安装注意事项有哪些？


使用 TO-263 封装的合适的 PCB 散热垫和散热片来管理 81W 的功耗。

通道类型对电路极性有何影响?


作为P通道设备,它需要适当的极性排列,以实现高侧开关配置。

其正向电压指示什么切换行为?


1.1V 的正向电压反映了其在指定驱动和负载条件下的传导特性。

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